服务范围

广电计量提供半导体材料微结构分析与评价服务范围：半导体材料、有机小分子材料、高分子材料、有机/无机杂化材料、无机非金属材料。

检测项目

（1）半导体材料元素成分分析：EDS 元素分析，X 射线光电子能谱（XPS）元素分析；

（2）半导体材料分子结构分析：FT-IR 红外光谱分析，X 射线衍射（XRD）光谱分析，核磁共振波普分析（H1NMR、C13NMR）；

（3）半导体材料微观形貌分析：双束聚焦离子束（DB FIB）切片分析，场发射扫描电镜（FESEM）微观形貌量测与观察，原子力显微镜（AFM）表面形貌观察。

相关资质

CNAS

服务背景

随着大规模集成电路的不断发展，芯片制程工艺日趋复杂，半导体材料微结构及成分异常阻碍着芯片良率的提高，为半导体及集成电路新工艺的实施带来了极大的挑战。广电计量提供半导体材料微结构分析与评价服务。

我们的优势

（1）芯片晶圆级剖面制备及电子学分析，基于聚焦离子束技术(DB-FIB)，对芯片局部区域进行精确切割，并实时进行电子学成像，可得到芯片剖面结构，成分等重要工艺信息；

（2）半导体制造相关材料理化特性分析，包括有机高分子材料、小分子材料、无机非⾦属材料的成分分析、分子结构分析等；

（3）半导体物料污染物分析方案的制定与实施。可帮助客户全面了解污染物的理化特性，包括：化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析等物理与化学特性分析。

应的衍射斑点，其晶面间距有所不同；也就是说虽然都是fcc结构，但是其晶格参数（fcc晶胞的a值）不同，表明其是不同的工艺所得。尤其是区域2（绿色框）和区域3（黄色框）的晶格参数差异，表明该裂纹是在不同工艺的Cu的界面产生。