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5G大规模集成电路芯片失效分析
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更新时间:2024-11-06  |  阅读:1542

详情介绍

服务范围

大规模集成电路芯片

检测项目

(1)无损分析:X-Ray、SAT、OM 外观检查。

(2)电特性/电性定位分析:IV 曲线量测、Photon Emission、OBIRCH、ATE 测试与三温(常温/低温/⾼温)验证。

(3)破坏性分析:塑料开封、去层、板级切片、芯片级切片、推拉力测试。

(4)微观显微分析:DB FIB 切片截面分析、FESEM 检查、EDS 微区元素分析。

相关资质

CNAS

服务背景

随着国家在5G通信领域的快速发展,我国5G通信技术的自主化脚步也越走越快,集成电路开始向着芯片设计研发的方向发展,芯片结构和制造工艺也日益复杂,如何快速准确地定位失效,找到失效根源变成了一个非常重要的课题和挑战。广电计量5G大规模集成电路芯片失效分析服务。

我们的优势

广电计量5G大规模集成电路芯片失效分析服务拥有业界专家团队及先进的失效分析设备,可为客户提供完整的失效分析检测服务,帮助制造商快速准确地定位失效,找到失效根源,助力5G通信快速稳步发展。同时,可针对客户的研发需求,提供不同应⽤下的失效分析咨询、协助客户开展实验规划、以及分析测试服务。如配合客户开展NPI阶段验证,在量产阶段(MP)协助客户完成批次性失效分析。



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